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[1]李紫琪,赵　培*,刘　莎,等.化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究[J].武汉工程大学学报,2021,43(02):181-186.[doi:10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202011021]
　LI Ziqi,ZHAO Pei*,LIU Sha,et al.Preparation of Chromium Carbide Films by Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Wuhan Institute of Technology,2021,43(02):181-186.[doi:10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202011021]
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化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究(/HTML)
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《武汉工程大学学报》[ISSN:1674-2869/CN:42-1779/TQ]

卷:
43
期数:
2021年02期
页码:
181-186
栏目:
材料科学与工程
出版日期:
2021-04-30

文章信息/Info

Title:
Preparation of Chromium Carbide Films by Chemical Vapor Deposition
文章编号:
1674 - 2869（2021）02 - 0181 - 06
作者:
李紫琪; 赵　培*; 刘　莎; 陈志杰; 李哲成; 潘天宇
武汉工程大学材料科学与工程学院，等离子体化学与新材料湖北省重点实验室（武汉工程大学），湖北 武汉 430205
Author(s):
LI Ziqi; ZHAO Pei*; LIU Sha; CHEN Zhijie; LI Zhecheng; PAN Tianyu
School of Materials Science and Engineering， Wuhan Institute of Technology， Hubei Key Laboratory of Plasma Chemical and Advanced Materials （Wuhan Institute of Technology）， Wuhan 430205， China
关键词:
碳化铬薄膜; 化学气相沉积; 三（2; 2; 6; 6-四甲基-3; 5-庚二酮）化铬; 沉积温度
Keywords:
Cr3C2 film;  chemical vapor deposition;  tris（2; 2; 6; 6-tetramethyl-3; 5-heptanedione）chromium;  deposition temperature
分类号:
TG144
DOI:
10.19843/j.cnki.CN42-1779/TQ.202011021
文献标志码:
A
摘要:
以三（2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮）化铬为前驱体，采用化学气相沉积（CVD）法在氧化铝（Al2O3）陶瓷基板上制备碳化铬（Cr3C2）薄膜，其中沉积温度为723 K至923 K，沉积时间为1 200 s。研究了不同沉积温度对Cr3C2薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构及电学性能的影响。结果表明，在723 K至923 K下制备得到具有高度（130）择优取向的Cr3C2薄膜。随着沉积温度的升高，Cr3C2薄膜表面先由光滑变粗糙，后逐渐变光滑；薄膜晶粒呈椭球型生长；薄膜的厚度先增加后减小，从而导致电阻先减小后增大。在798 K时制备得到厚度最大且电阻最小的（130）择优取向的最佳Cr3C2薄膜。同时，在实验条件下Cr3C2薄膜表面存在少量的碳和Cr2O3。
Abstract:
Chromium carbide（Cr3C2） thin films were prepared on alumina（Al2O3） ceramic substrate by chemical vapor deposition（CVD） using tris（2，2，6，6-tetramethyl-3，5-heptanedione）chromium as a precursor，with the deposition temperatures in the range of 723 K to 923 K and deposition time of 1 200 s. Effects of different deposition temperatures on the phase composition，preferred orientation，macroscopic surface，microstructure and electrical properties of the Cr3C2 films were investigated，respectively. The results show that Cr3C2 films with a high （130） preferred orientation were prepared in the deposition temperature range of 723 K to 923 K. As the deposition temperature increases，the surface of the Cr3C2 films firstly changes from smooth to rough，and then gradually becomes smooth；the crystal grains of the films grow in an ellipsoid shape； the thickness of the films firstly increases and then decreases，leading to the resistance firstly decreases and then increases. The preferentially oriented （130） Cr3C2 film with maximum thickness and minimum resistance is prepared at 798 K. At the same time，there is a small amount of carbon and Cr2O3 on the surface of the Cr3C2 films under the experimental conditions.

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
收稿日期：2020-11-16基金项目：国家自然科学基金（51972241）作者简介：李紫琪，硕士研究生。E-mail：1622556145@qq.com*通讯作者：赵　培，博士，教授。E-mail：zhaopei410@163.com引文格式：李紫琪，赵培，刘莎，等. 化学气相沉积法制备碳化铬薄膜的研究［J］. 武汉工程大学学报，2021，43（2）：181-186，191.
更新日期/Last Update: 2021-04-26